メモリ

Micron 2018年下半期 96層NANDと1Y nm DRAMを予定

Micronが、決算報告で、2018年下半期に予定している96層3D NAND Flashの大量生産は順調と説明。現在、大半のSSDでは32層NANDが用いられており、Crucial MX500などのいくつかの製品で64層NANDが採用されています。96層NAND Flashは3D NANDの第3世代です。チップあたりの容量を増加できる事と、より小さく、より電力効率を高めることができるものです。

また、2点目として、Micronは現行世代の1X nm (18nm) DRAMの生産が昨年末を上回る予測をしています。さらに、次の世代となる1Y nm (15nm/16nm) DRAMは2018年下半期の出荷予定に対して順調である事を説明しました。

 

今のメモリの高騰状態が好材料であることは確か。1Y nmでより大容量で高速なMicronチップ搭載モジュールが出回る見込みですが、16GBのDDR4-2933製品は早々にお願いしたいですね。

関連記事

  1. DDR5-6400メモリを使用したAlderLakeテストで、高レイテ…

  2. Samsung は DDR3 メモリを段階的に廃止して DDR5 の生…

  3. TeamGroup が T-Force Z5 Gen5 SSD、SSD…

  4. マイクロンがHBM2の生産を開始し年内出荷予定

  5. Samsungが業界初のEUV DRAMを発表、 2021年DDR5の…

  6. 次世代 GPU 用の Samsung の次世代 GDDR7 メモリは、…

  7. Samsungが密度の増加と64 ビットDRAMで容量とパフォーマンス…

  8. G.Skill が16、24、32、48 GB DIMM で最大 DD…

  9. Extreme Overclockerは、エントリーレベルのDDR5-…

  10. Samsung、NVIDIA からの「潜在的」需要の中、大量の 2.5…

  11. AMD Ryzen 7000 Zen 4 CPU のインフィニティ フ…

  12. Intel 32GBメモリモジュール対応へ

PAGE TOP