メモリ

Micron 2018年下半期 96層NANDと1Y nm DRAMを予定

Micronが、決算報告で、2018年下半期に予定している96層3D NAND Flashの大量生産は順調と説明。現在、大半のSSDでは32層NANDが用いられており、Crucial MX500などのいくつかの製品で64層NANDが採用されています。96層NAND Flashは3D NANDの第3世代です。チップあたりの容量を増加できる事と、より小さく、より電力効率を高めることができるものです。

また、2点目として、Micronは現行世代の1X nm (18nm) DRAMの生産が昨年末を上回る予測をしています。さらに、次の世代となる1Y nm (15nm/16nm) DRAMは2018年下半期の出荷予定に対して順調である事を説明しました。

 

今のメモリの高騰状態が好材料であることは確か。1Y nmでより大容量で高速なMicronチップ搭載モジュールが出回る見込みですが、16GBのDDR4-2933製品は早々にお願いしたいですね。

関連記事

  1. TeamGroup が T-Force Z5 Gen5 SSD、SSD…

  2. ゲーミングPCがより快適にDDR5メモリは2020年、そしてDDR6の…

  3. Intel、韓国に先端研究施設を建設、SamsungとSK hynix…

  4. DDR5メモリ価格がメーカーの大規模減産で最大20%高騰

  5. Samsung が 1 TB DDR5 メモリ モジュールの開発を開始…

  6. Samsungが高度な14nmEUVノードでDDR5メモリの量産を開始…

  7. KingstonはオーバークロックをサポートするDDR5メモリモジュー…

  8. G.Skill が16、24、32、48 GB DIMM で最大 DD…

  9. マイクロンがHBM2の生産を開始し年内出荷予定

  10. DDR5メモリモジュール、量産向けに展開、IntelおよびAMDの次世…

  11. Samsung の Shinebolt、Flamebolt、Snowb…

  12. Samsung、NVIDIA からの「潜在的」需要の中、大量の 2.5…

PAGE TOP