DDR5メモリはほんの数か月前から主流になりましたが、Samsungはすでに次世代DDR6メモリの初期開発プロセスにあります。
SamsungはDDR6メモリの初期開発がすでに始まっていることを確認し、MSAP Tech＆Aimsを利用して最大17,000Mbpsの速度を提供
韓国の水原でのセミナーで、Samsungのテストおよびシステムパッケージ（TSP）担当副社長は、メモリ自体のパフォーマンスが将来拡張するにつれて、パッケージング技術を進化させる必要があることを明らかにしました。同社は、MSAP技術を利用する次世代DDR6メモリの開発の初期段階にあることを確認しました。
Samsungによると、MSAPはすでにDDR5で競合他社（SK HynixとMicron）によって使用されています。では、MSAPの新機能は何ですか？MSAPまたはModified Semi-Additive Processを使用すると、DRAMメーカーはより細かい回路を備えたメモリモジュールを作成できます。これは、以前は手つかずのままにされていた空きスペースに回路パターンをコーティングすることで実現され、より良い接続とより高速な転送速度を可能にします。次世代のDDR6メモリは、MSAPを活用して回路接続を強化するだけでなく、DDR6メモリに組み込まれる層の数の増加にも適応します。
以前のテンティング方法では、回路パターンが形成される円形の銅板の領域のみがコーティングされ、他の領域はエッチングされていました。
しかし、MSAPでは、回路以外の領域がコーティングされ、空きスペースがメッキされているため、より細かい回路が可能になります。VPによると、メモリチップの容量とデータ処理速度が向上するにつれて、パッケージはそれに合うように設計する必要があります。層の数が増え、プロセスがより洗練されるにつれて、メモリパッケージ市場も指数関数的に成長すると予想されている、とKo氏は語った。
ファンアウトに関しては、ボールのレイアウトを維持しながらチップを小さくするためにI / O端子をチップの外側に配置する別のパッケージング技術で、Samsungはファンアウトウェーハレベルパッケージ（FO-WLP）とファンの両方を適用していましたアウトパネルレベルパッケージ（FO-PLP）。
-ELEC、Korea Electronics Industry Media経由
Samsungは、DDR6の設計が2024年までに完成することを期待していますが、2025年以降の商用利用は期待されていません。仕様に関しては、DDR6メモリは既存のDDR5メモリの最大2倍の速度で、転送速度は最大12,800 Mbps（JEDEC）＆オーバークロックされた速度は17,000Mbpsの範囲を超えて猛威を振るっています。現在、Samsungの最速のDDR5 DIMMの転送速度は最大7,200Mbpsであるため、JEDECでは1.7倍、次世代メモリチップではオーバークロック速度で2.36倍になります。
メモリメーカーは、今後、DDR5-12600までの速度をすでに強調しているため、DDR5は現状の倍以上のパフォーマンスが可能であり、間違いなくコンシューマープラットフォームの今後の可能性を秘めています。AMDのZen4とIntelのRaptor Lake CPUプラットフォームの発売により、今年後半には、DDR5-5600時代が本格的に始まり、より高速でより調整されたDDR5メモリモジュールが期待されます。
(Source:wccftech)
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