メモリ

SK Hynix 次世代 10nm DRAM が Intel の DDR5 検証テストを開始

DRAM メモリの大手メーカーの 1 つである SK Hynix は最近、Intel の今後の DRAM 標準でサーバー側が使用する DDR5メモリの互換性検証プロセスに参加したと、韓国のニュース サイト Chosun Biz が報じています。同社にとってのこの次のステップは、新製品、特にサーバーベースの DRAM の大量生産に一歩近づくものです。

SK Hynix は現在、Intel との同社の新しい DRAM の互換性検証を待ち

SK Hynix は、同社の新しい 10nm クラスの第 5 世代サーバー DRAM について、Intel からの完全な互換性検証を待つ予定です。来月、検証プロセスが開始され、新しい DRAM が Intel のサーバー プロセッサで利用できるかどうかが確認されます。これは、先月の同社の電話会議で発表され、同社は「今年の半ばに1b DRAMの量産準備を完了する」と述べたと伝えられています。

Intel がサーバー プロセッサ市場の 90% の安定性を維持していることから、SK Hynix は新しい DRAM が Intel のプロセッサで利用され、データ センターなどのサーバーでフルに使用されることを期待しています。同社はまた、最初の 10nm クラスの第 4 世代サーバー DRAM を達成し、Intel は、Sapphire Rapids としても知られる新しい Intel Xeon スケーラブル プロセッサも発表しました。コメントを求められたとき、代表者は他の企業との最近のコラボレーションを拒否しました。

SK Hynix の事業計画における次のステップは、将来的に生産される 1β ナノ DRAM を発売することです。新しい DRAM は、コストの高い同社の競合製品と比較して、効率を 40% 向上させます。

メモリ業界のもう 1 つのリーダーである Samsung Electronics は、最近、1β ナノ プロセスを利用した 16 GB DDR5 DRAM を発売しました。Samsung が互換性検証を完了するために選択した会社は、Intel の CPU 競合企業である AMD でした。

最近、SK Hynix や Samsung などの DRAM メーカーが、HBMを含むメモリ ソリューションの価格を引き上げていることが明らかになりました。NVIDIA は SK Hynix に、HBM3 の生産能力を増強するよう依頼していました。ただし、他のベンダーは、Intel などの次世代製品に HBM3 を統合しようとしています。これにより、SK Hynix は自社製品の需要を維持できなくなります。そうは言っても、HBM3 メモリの価格は元のコストの最大 5 倍まで上昇しています。

現在、SK Hynix とライバルの Samsung Electronics は、新しい極紫外線 (EUV) リソグラフィ プロセスを使用してコンピュータ コンポーネントを製造できる唯一の有能な機関です。

(Source:wccftech)

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