(Source:wccftech)

Samsung先端技術研究所（SAIT）の研究者は、ウルサン国立科学技術研究所（UNIST）およびケンブリッジ大学と共同で、アモルファス窒化ホウ素（a-BN）と呼ばれる新しい材料の発見を発表しました。Nature誌に掲載されたこの研究は、次世代の半導体の登場を加速させる可能性を秘めています。

Samsungのアモルファス窒化ホウ素の発見が次世代半導体の鍵を握るかもしれない、それは2D材料がスケーラビリティの問題を克服する鍵となるから

最近、SAITは、二次元（2D）材料、つまり原子の単層を持つ結晶材料の研究開発に取り組んでいます。具体的には、研究所はグラフェンの研究開発に取り組んでおり、新しいグラフェントランジスタの開発や大面積の単結晶ウェーハスケールを製造する新しい方法など、この分野で画期的な研究成果を達成しています。グラフェン。SAITはグラフェンの研究開発に加えて、材料の商品化を加速するために取り組んできました。

アモルファス窒化ホウ素（a-BN）と呼ばれる新たに発見された材料は、アモルファス分子構造を持つホウ素原子と窒素原子で構成されています。アモルファス窒化ホウ素は、六方晶構造に配置されたホウ素原子と窒素原子を含む白いグラフェンに由来しますが、a-BNの分子構造は、実際、白いグラフェンとは独特になっています。アモルファス窒化ホウ素は、クラス最高の超低誘電率1.78を備え、強力な電気的および機械的特性を備えており、電気的干渉を最小限に抑えるための相互接続絶縁材料として使用できます。また、この材料は、わずか400°Cの低温でウェーハスケールで成長できることも実証されました。このため、アモルファス窒化ホウ素は、DRAMやNANDソリューションなどの半導体、特に大規模サーバー向けの次世代メモリソリューションへの応用が期待されています。