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SK hynix、最大50%高速なデータ転送を実現する238層3D NANDの量産を開始

SK hynixは、最大50%速い転送速度を実現する業界最高の238層4D NANDの量産を発表した。

SKハイニックスが次世代プラットフォーム向けに業界最高の238層デバイスを準備し、4D NANDが量産開始

SK hynix Inc.は、本日2022 年 8 月の開発に続き、238 層 4D NAND フラッシュ メモリの量産を開始し、製品の互換性を確保したことを発表しました。世界的なスマートフォンメーカーとのテストが進行中です。

同社は「SKハイニックスは238層NAND技術を採用したスマートフォンやPCのストレージデバイスとして使用されるクライアントSSD向けのソリューション製品を開発し、5月に量産を開始した」と明らかにした。「当社は238層NANDと前世代の176層NANDの両方において、価格、性能、品質において世界クラスの競争力を確保していることから、これらの製品が下半期の収益改善を牽引すると期待しています。」

最小サイズの NAND である 238 層の製品は、前世代の 176 層と比較して製造効率が 34% 向上し、コスト競争力が大幅に向上しました。

さらに、データ転送速度は毎秒 2.4Gb で、前世代から 50% 増加し、読み取りおよび書き込み速度が約 20% 増加しているため、同社はパフォーマンスの向上を実現できると確信しています。このテクノロジーを使用しているスマートフォンと PC の顧客。

SKハイニックスは、世界的なスマートフォンメーカーとの製品互換性テストが完了すれば、スマートフォン向け238層NAND製品の供給を開始し、今後PCIe 5.0* SSDや大容量サーバーSSDなどの製品ポートフォリオ全体にこの技術を拡大する予定です。

*PCIe 5.0: PCIe(Peripheral Component Interconnect Express)はデジタル機器のメインボードに使用されるシリアル構造の高速入出力インターフェースで、PCIe 5.0ではデータレートがPCIe 4.0の2倍の32GT/s(ギガ転送/秒)となっています。

SKハイニックスのS238 NAND責任者であるJumsoo Kim氏は、「今後の市場回復期に他の誰よりも大きな好転を達成できるよう、NAND技術の限界を克服し、競争力を強化し続けていく」と述べた。

(Source:wccftech)

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