SK Hynix は、第 5 世代 10nm プロセス 1bnm の検証が完了し、次世代の DDR5 と HBM3E ソリューションに搭載されると発表しました。
SK Hynix 1bnm プロセスは、DDR5 で最大 6.4 Gbps、HBM3E で最大 8 Gbps の高速性を実現
SK ハイニックスは、次世代 1bnm ノードが DDR5 および HBM3E (高帯域幅メモリ) ソリューションの生産に使用されることも確認しました。同企業は、Xeon Scalable プラットフォームが 1bnm ノード上に構築された DDR5 製品をサポートするための Intel 認定を取得したと述べました。1bnm DDR5 メモリの評価は、1anm (第 4 世代 10nm ノード) が準備完了し、インテルの認定も完了したときに行われます。
SK Hynix は、当社の 1nm サーバー DDR5 製品と第 4 世代インテル® Xeon® スケーラブル プロセッサーとの互換性の検証が成功したことを受けて、インテルとの 1bnm DDR5 製品の検証プロセスがスムーズに進むことを期待しています。
下期からメモリ市況が回復に向かうとの期待が高まる中、今回の10億プロセスの量産で改めて実証された業界トップクラスのDRAM技術が、下期以降の収益改善に貢献すると考えています。
JEDEC規格で規定されているDDR5の最大速度が8.8Gbpsであるのに対し、開発初期の試運転用DDR5製品は4.8Gbpsで動作しました。
-SK Hynix
Intel に供給される DDR5 製品は 6.4Gbps (現時点で業界最高) で動作し、DDR5 開発の初期段階で試用された製品と比較してデータ処理速度が 33% 向上します。さらに、1bnm DDR5 メモリは、リーク電流を防ぎ静電容量を向上させる高誘電率材料を導入する High-K メタル ゲート プロセスを採用することにより、1nm ノードよりも消費電力が 20% 少なくなります。
HBM3E (HBM3 拡張): HBM3E は、前世代の HBM、HBM2、HBM2E、および HBM3 の後継となる第 5世代の高帯域幅メモリ製品です。SKハイニックスは、下半期までにデータ処理速度8GbpsのHBM3E製品のサンプルを準備し、2024年に量産を開始する計画だ。
-SK Hynix
また、同社は、2024年下半期までにLPDDR5TおよびHBM3Eベースの製品に10億プロセスを採用すると発表した。SKハイニックスは、8Gbpsのデータ処理速度で動作するHBM3E製品のサンプルを準備し、2024年に量産を開始する計画です。
(Source:wccftech)
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