(Source:wccftech)
Samsungは、同社の14nmEUVプロセスノードで製造される次世代DDR5メモリの量産を正式に開始しました。メモリはHPCおよびAIサーバーを対象としており、DDR4メモリの2倍以上のパフォーマンスを提供します。
SamsungのDDR5メモリが量産に入る、14nm EUVプロセスノード、7200 Mbpsの速度で768GBの大容量
Samsungによると、新しいプロセスノードはSamsungの14nmDDR5メモリが全体的な速度の前例のない増加を達成するのに役立ちます。現在、14nm EUVプロセスは、速度を7.2 Gbpsにプッシュします。これは、DDR4（3.2 Gbps）が提供する速度の2倍以上です。同社は、14nm DDR5メモリポートフォリオをデータセンター、スーパーコンピューター、および24Gb DRAMICに基づくさらに高密度のオプションを備えたエンタープライズサーバーアプリケーションに拡大すると発表しました。これにより、同社はDDR5メモリを512 GB-1TBの容量から768GBおよび1.5TBの大容量に拡張できます。
Samsungは本日、極紫外線（EUV）技術に基づく業界最小の14ナノメートル（nm）のDRAMの大量生産を開始したことを発表しました。昨年3月に業界初のEUVDRAMを出荷した後、SamsungはEUV層の数を5つに増やし、DDR5ソリューション向けの今日の最高で最先端のDRAMプロセスを実現しました。
Samsungの新しい5層EUVプロセスは、業界最高のDRAMビット密度を可能にし、生産性を約20％向上させます
Samsungのシニアバイスプレジデント兼DRAM製品およびテクノロジー責任者であるJooyoungLeeは、次のように述べています。
「今日、Samsungは、14nmでの極端な小型化を可能にする多層EUVを備えた別の技術マイルストーンを設定しています。これは、従来のフッ化アルゴン（ArF）プロセスでは不可能な偉業です。この進歩に基づいて、5G、AI、およびメタバースのデータ駆動型の世界におけるパフォーマンスと容量の向上の必要性に完全に対応することにより、最も差別化されたメモリソリューションを提供し続けます。-Samsung経由
DRAMが10nm範囲を縮小し続けるにつれて、EUV技術は、より高い性能とより高い歩留まりのためにパターニング精度を改善するためにますます重要になります。Samsungは、14nm DRAMに5つのEUV層を適用することで、ウェーハ全体の生産性を約20％向上させながら、最高のビット密度を実現しました。さらに、14nmプロセスは、前世代のDRAMノードと比較して消費電力を約20％削減するのに役立ちます。
