(Source:東芝メモリ)

東芝メモリは新たなStroage Class Memory (SCM) solutionとしてXL-Flashを発表した。XL-Flashは同社のBiCS 3D Flash memory technologyと1-bit-per-cell―SLCをベースとしている。そしてXL-Flashはデータセンターやエンタープライズストレージ向けとして低いレイテンシと高い性能を実現する。

主な特徴として以下が紹介されている。

128Gbit die：パッケージあたり2, 4, 8ダイを搭載する

4KB page size：より効率的なOS read/writeを実現する

16-plane architecture：より効率的な並列性

Fast page read and program times：5 μsec未満の低い読み込みレイテンシ

非常に大雑把な言い方をしてしまうと、東芝メモリの3次元積層技術であるBiCS 3DとSLC み合わせたもの、になるだろうか。現在一般的に出回っているSSDは多くは3D TLC NANDである。一方XL-Flashは語弊を覚悟で言えば3D SLCとなるのだろうか（しかし、プレスリリースもメディアの報道も“SLC”としか呼称しておらず、“SLC NAND”とは言っていない。実は何かあるのだろうか？）。早速XL-Flashを用いた製品として、Memblazeから“PBlaze X26 series”が明らかにされている。低レイテンシを前面に押し出しており、4K random write latencyは10μsec未満、4K mixed read-write latencyは20μsec以下であるとしている。現在はサンプリングの段階であり、市場投入は2020年が予定されている。現時点では詳細は明らかにされていないものの、“PBlaze5 X26 800”という型番より800GBの容量の製品があるのではないかと予想されている。