Intelの10nm FinFETプロセスは当初の予定より遅れているようです。TechInsightsの情報によるとIntel 10nmプロセスは大幅に拡張されたという。Intel 10nmプロセスは14nmと比較し、2.7倍のトランジスタ密度を実現。1mm2あたり1億80万のトランジスタを搭載。127mm2のダイサイズであれば128億のトランジスタを搭載できる計算になります。また、Intel 10nmは第3世代のFinFET技術を採用していので、ゲートピッチは14nm世代の70nmから54nmに縮小し、最小メタルピッチも52nmから36nmに縮小いるとの事。
では、登場時期はいつごろになるのだろうか
一応というか、すでに、10nm CPUはCore i3-8121Uとして出てきてはいます。しかし、本格量産にはまだ時間がかかりそうなのが現状。そんなところで、Intelが、今年と来年、われわれは14nmベースのデータセンター向け製品を投入すると発表。これは、Xeonのことであります。まず今年のXeonは14nmの「Cascade Lake-SP」でこれは既定路線。問題はその次で、少し前に「Cascade Lake-SP」と「Ice Lake-SP」の間に14nmの「CooperLake-SP」を用意する話が出てきました。また、われわれは今後12～18ヵ月かけて10nm製品のコストと歩留まりを改善する予定で、その間は14nmプロセスを利用した製品のロードマップが予定されている
今後のXeonの磁気的なものは、今年末から来年初めに14nmの「Cascade Lake-SP」、2019～2020年は14nmの「Cooper Lake-SP」、2020年か2021年にようやく10nmの「Ice Lake-SP」が登場するという流れが現実的という事になりそうです。
