Micronは、1βノードにより最大 7200 MT/s の速度を実現する、サーバーおよび PC メモリ アプリケーション向けの新しい 16 Gb DDR5 DRAM を発表しました。

Micron DDR5 メモリは、1β プロセス ノードをベースにした最新の 16 Gb DRAM モジュールでアップグレード

Micron Technologyのプレスリリースでは本日、16 Gb DDR5 メモリの導入により、業界をリードする 1β (1-ベータ) プロセス ノード テクノロジを拡張したと発表しました。最大 7,200 MT/s の速度で実証されたシステム内機能を備えた Micron の 1β DDR5 DRAM は、現在すべてのデータセンターおよび PC 顧客に出荷されています。高度な High-k CMOS デバイス テクノロジ、4 フェーズ クロッキング、およびクロック同期を備えた Micron の 1β ベースの DDR5 メモリは、前世代と比較してパフォーマンスが最大 50% 向上し、ワットあたりのパフォーマンスが 33% 向上します。

データセンターのワークロードの需要を満たすために CPU コア数が増加するにつれて、顧客の総所有コストを最適化しながら「メモリの壁」の課題を克服するために、より高いメモリ帯域幅と容量に対するニーズが大幅に高まっています。

クライアントおよびデータセンターのプラットフォーム向けの 1β DDR5 DRAM の大量生産と利用可能化は、業界における重要なマイルストーンを示しています。エコシステム パートナーや顧客との協力により、これらの高性能メモリ製品のより迅速な導入が促進されます。

-Brian Callaway 氏、Micron コア コンピューティング デザイン エンジニアリング グループのコーポレート VP 氏

1β DDR5 DRAM により、計算能力をより高いパフォーマンスで拡張できるようになり、データセンターとクライアント プラットフォーム全体で人工知能 (AI) のトレーニングと推論、生成 AI、データ分析、インメモリ データベース (IMDB) などのアプリケーションが可能になります。新しい 1β DDR5 DRAM 製品ラインは、データセンターおよびクライアント アプリケーションでの使用向けに、4,800 MT/s から最大 7,200 MT/s の範囲の速度で現在のモジュール密度を提供します。

Micronの 1β テクノロジにより、16Gb、24Gb、および 32Gb DRAM ダイを使用する DDR5 RDIMM および MCRDIMM、16Gb および 24Gb DRAM ダイを使用する LPDDR5X、HBM3E、GDDR7 など、メモリベースのソリューションの広範なポートフォリオを提供できます。新しい Micron 16Gb DDR5 メモリ製品は、直接販売およびチャネル パートナーを通じて入手可能になります。

(Source:wccftech)