Samsung 韓国の平沢でNANDフラッシュの生産能力を拡大する計画を発表

(Source:wccftech)

高度なメモリテクノロジーの世界的リーダーであるSamsungは本日、韓国の平沢でNANDフラッシュの生産能力を拡大し、新興テクノロジーの需要に対応する同社の能力を強化する計画を発表しました。今年5月に開始された建設は、2021年後半にSamsungの最先端のV-NANDメモリを大量生産する道を開くでしょう。

Samsungはこの工場をV-NANDメモリの大量生産に使用します

Samsung ElectronicsのMemory Global Sales&MarketingのエグゼクティブバイスプレジデントであるCheol Choiは、次のように述べています。「私たちは、利用可能な最も最適化されたソリューションを市場に提供し続ける一方で、IT業界全体と経済全般の成長に貢献します。」人工知能、モノのインターネット、および5Gの拡大に支えられた第4次産業革命の時代に、追加された容量は、NANDフラッシュメモリの中長期的な需要に対応する上で大きな役割を果たすでしょう。デジタルライフスタイルが普及するにつれ、Samsungは今後の市場機会をつかむために、新しい投資を積極的に行っていきます。SamsungのNANDフラッシュ生産ネットワークは、韓国の華城と平沢から中国の西安にまで及びます。2015年に設立されたSamsungの平澤キャンパスは、世界最大級の2つの生産ラインで構成される次世代メモリ技術の中心地です。

Samsungは製造と技術におけるその重要な優位性を活用して、過去18年間NANDフラッシュメモリのリーダーとしての地位を維持してきました。Samsungは、グローバルサイト全体でバランスの取れた投資を行うことで、市場でのリーダーシップをさらに強固にする強力な生産ネットワークを維持することを目指しています。Samsungは2013年にさかのぼるV-NAND生産で毎年NANDテクノロジーの進歩を続けており、毎年6世代目を迎える定期的なアップグレードを行っています。この工場は、より多くの生産を可能にし、より良い電話を作成します。

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