(Source:techpowerup)

TSMCはシリコン製造へのアプローチで非常に積極的であり、R＆Dへのより多くの投資が今やIntelの設備投資に匹敵するか、それ以上になっています。これは、新しい技術に対する強い需要を示しており、TSMCの強力な製品は、パフォーマンスの向上とノードサイズの縮小を求める終わりのない競争から逸脱することはありません。

DigiTimesの情報筋によると、TSMCは、2023年に3nmノードの大量生産を開始予定の工場を建設するために、南台湾サイエンスパークに30ヘクタールもの土地を取得しました。3nm製造施設の建設は、2020年に開始される予定です。3 nm半導体ノードは、EUV技術に基づく7 nm +および5 nmノードの直後に、TSMCのEUVリソグラフィにおける3回目の試みになります。