(Source:wccftech)
Samsungは毎年恒例の技術デーで、DDR6、GDDR6 +、GDDR7、HBM3などの次世代メモリ技術に関する新しい情報を発表しました。
SamsungはDDR6およびGDDR6 +メモリテクノロジーの開発を行っており、次世代GPUのGDDR7およびHBM3標準タイプについて協議
Computerbaseは、次世代のメモリ規格について議論したSamsungから情報を入手することができました。メモリ設計の最新の飛躍は、DDR5の発売に伴いました。この規格は現在、Intelの第12世代Alder Lakeプラットフォームで稼働しており、供給にいくつかの大きな問題がありますが、メモリメーカーはDDR5の改良にとどまりません。Samsungは、近い将来、DDR5-6400MbpsのネイティブJEDEC速度とDDR5-8500Mbpsのオーバークロックモジュール速度の概要を説明しました。現在、メモリメーカーは、最初に製造されたDDR5 DIMMで最大7000Mbpsの転送速度を採用していますが、時間の経過とともに改善されます。
DDR6メモリ標準を開発中-最大17,000Mbpsの転送速度
次世代メモリDDR6規格はすでに開発中であり、将来的にDDR5に取って代わると言われています。DDR5は発売されたばかりなので、少なくとも2025-2026 +までDDR6を期待するべきではありません。DDR4メモリ規格は少なくとも6年間使用されていたため、DDR6の発売にも同じ期間が予想されます。
仕様に関しては、DDR5メモリはDDR6の転送速度を2倍、DDR4の転送速度を4倍と言われています。JEDECの速度は約12,800Mbpsが推奨されており、オーバークロックされたDIMMは17,000Mbpsに達します。ただし、これらはSamsungがDIMMについて強調している最大の可能性ではないことを覚えておく必要があります。
DDR Memory data rates. (Image Credits: Computerbase)
一部のメーカーは、将来のDDR5 DIMMで最大12000Mbpsの転送速度をすでに採用しているため、DDR6が最も洗練された状態で20KMbpsの障壁を簡単に破ることが期待できます。DDR5メモリと比較して、DDR6は合計64のメモリバンクに対して4つの16ビットメモリチャネルを備えています。
次世代GPU用の24GbpsのGDDR6 +および32GbpsのGDDR7
Samsungはまた、既存のGDDR6チップに代わるより高速なGDDR6 +規格を提供する計画を明らかにしました。現在、Micronは、GDDR6X標準に対応した21 Gbps +グラフィックスメモリの設計を備えている唯一の製品です。GDDR6 +は、帯域幅を増やすだけではなく、GDDR6をさらに改良したものです。最大24Gbpsの速度を実現すると言われており、次世代GPUの一部となるでしょう。これにより、320/352/384ビットバスレイアウトのGPUが1 TB/sを超える帯域幅に到達できるようになり、256ビットGPUは最大768 GB/sの帯域幅に到達できるようになります。
現在グラフィックスDRAMロードマップにあり、リアルタイムエラー保護テクノロジーとともに最大32Gbpsの転送速度を提供することが期待されているGDDR7もあります。32 Gbpsの転送速度で256ビット幅のバスインターフェイスを介したGDDR7メモリサブシステムは、1 TB/sの合計帯域幅を提供します。これは、384ビットバスインターフェイスでは1.5 TB/s、512ビットシステムでは最大2 TB / sです。これは、GDDR標準の非常に多くの帯域幅です。
GDDR Memory Specifications.xlsx
| Feature | GDDR5 | GDDR5X | GDDR6 | GDDR6X | GDDR6+ | GDDR7 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Density | From 512Mb to 8Gb | 8Gb | 8Gb, 16Gb | 8Gb, 16Gb | 8Gb, 16Gb | 8Gb, 16Gb, 32Gb? |
| VDD and VDDQ | Either 1.5V or 1.35V | 1.35V | Either 1.35V or 1.25V | Either 1.35V or 1.25V | TBD | TBD |
| VPP | N/A | 1.8V | 1.8V | 1.8V | 1.8V | TBD |
| Data rates | Up to 8 Gb/s | Up to 12Gb/s | Up to 16 Gb/s | 19 Gb/s, 21 Gb/s, >21 Gb/s | 24 Gb/s | 32 Gb/s |
| Package | BGA-170 | BGA-190 | BGA-180 | BGA-180 | BGA-180 | TBD |
| 14mm x 12mm 0.8mm ball pitch | 14mm x 12mm 0.65mm ball pitch | 14mm x 12mm 0.75mm ball pitch | 14mm x 12mm 0.75mm ball pitch | 14mm x 12mm 0.75mm ball pitch? | ||
| I/O width | x32/x16 | x32/x16 | 2 ch x16/x8 | 2 ch x16/x8 | 2 ch x16/x8 | TBD |
HBM3メモリの生産は2022年第2四半期に開始
最後に、Samsungが2022年第2四半期にHBM3メモリの量産を開始する予定であることを確認しました。次世代メモリ規格は、将来のHPCおよびデータセンターのGPU / CPUに電力を供給します。SK Hynixは、最近、独自のHBM3メモリモジュールと、それらがいかに驚異的な速度と容量を提供するかをすでに紹介しています。詳しくはこちらをご覧ください。
HBM Memory Specifications Comparison.xlsx
| DRAM | HBM1 | HBM2 | HBM2e | HBM3 |
|---|---|---|---|---|
| I/O (Bus Interface) | 1024 | 1024 | 1024 | 1024 |
| Prefetch (I/O) | 2 | 2 | 2 | 2 |
| Maximum Bandwidth | 128 GB/s | 256 GB/s | 460.8 GB/s | 819.2 GB/s |
| DRAM ICs Per Stack | 4 | 8 | 8 | 12 |
| Maximum Capacity | 4 GB | 8 GB | 16 GB | 24 GB |
| tRC | 48ns | 45ns | 45ns | TBA |
| tCCD | 2ns (=1tCK) | 2ns (=1tCK) | 2ns (=1tCK) | TBA |
| VPP | External VPP | External VPP | External VPP | External VPP |
| VDD | 1.2V | 1.2V | 1.2V | TBA |
| Command Input | Dual Command | Dual Command | Dual Command | Dual Command |
